V okviru programa smo raziskovali interakcije sevanj in plazme s snovjo. Na področju jedrskih sledi smo se ukvarjali z razvojem novih metod detekcije nabitih delcev in jih uporabili pri raziskavah interakcije pospešenih ionov s snovjo. V ta namen smo študirali interakcijo ionov 12C, 14N, 16O in 20Ne s tkivu podobnimi snovmi. Izmerili smo preseke za spremembo naboja 12C z energijami med 110-250 MeV/nucleon v tarčah iz C, CH2 in H20 in preseke za nastanek B in Be. Razvili smo semiempirični model za izračun kota emisije pri fragmentacijskih reakcijah lahkih in težkih ionov v energijskem področju (200 MeV/nukleon. Problem določanja majhnih fluksov hitrih nevtronov z detektorji sledi smo efektivno rešili s koincidenčno meritvijo s parom CR-39 folij in z evaluacijo jedkanih sledi z avtomatskim sistemom za izvrednotenje sledi. Nevtronsko radiografijo smo uporabili pri študiju porazdelitve bora v histoloških vzorcih in za študij transporta tekočin v gradbenih materialih. Z nevtronsko inducirano avtoradiografijo smo študirali uporabnost minerala Lorandita kot detektorja sončnih nevtrinov ter procese sedimentacije v Bajkalskem jezeru in vpliv okoljskih in geoloških procesov na antroprogeno onesnaževanje. Na področju fizike plazme smo raziskovali odziv šibko magnetiziranega plazemskega stolpca na priključitev pozitivne napetosti na elektrodo, ki je potopljena v plazmo tako, da je njena površina pravokotna na silnice magnetnega polja. Študirali smo predvsem časovni razvoj elektronske porazdelitvene funkcije (komponenta hitrosti vzdolž magnetnega polja) in časovni razvoj plazemskega potenciala. Elektronsko porazdelitveno funkcijo smo merili z enostransko izolirano ploščato Langmuirjevo sondo in to v pogojih, ko lahko pride do nastanka ognjene palice, kot tudi v pogojih, ko do tega ne more priti, bodisi zaradi prenizkega tlaka plina ali premajhne amplitude pozitivnega napetostnega impulza na anodi. Študirali smo tudi formiranje plazemskega potenciala pred negativno elektrodo, ki je potopljena v plazmo v kateri sta prisotni dve popopulaciji negativnih delcev. S kinetičnim modelom smo napovedali pri katerih razmerih med gostotama in temperaturama obeh komponent lahko v plazmi nastane dvojna plast. Njen obstoj smo potrdili z računalniškimi simulacijami, vrednosti parametrov pa se zelo dobro ujemajo z teorijskimi napovedmi. Pri raziskavah strukturnih sprememb v polprevodnikih smo implantirali vzorce Si, Ge in GaAs s težkimi ioni, ki so povzročili prostorsko izolirane amorfne cone v kristalni strukturi polprevodnikov. Nato smo vzbujali rekristalizacijo con z energetskimi elektroni in spremljali razvoj kristalnih poškodb v elektronskem mikroskopu. Določili smo odvisnost hitrosti poprave poškodb od energije elektronov in temperature vzorca. Na področju fizike polprevodnikov smo uspeli ob uporabi metode curka ionizirajočih skupkov za rast tankih plasti pojasniti več kot 15 let odprti problem vzroka nastanka presežne kapacitete stika kovina/polprevodnik. Nakazali smo nekaj fizikalnih mehanizmov, ki določajo položaj Fermijevega nivoja v ICB Schottkyjevih strukturah v odvisnosti od pospeševalnih napetosti in pri tem posebej poudarili vlogo lokalne elektronske strukture. Pri raziskavah dinamike molekularnih grup v molekularnih kristalih z metodo NMR smo se posvetili analizi tuneliranja metilnih skupin, vgrajenih v kristalno mrežo, tako, da smo opazovali časovni potek protonske magnetizacije v rotacijskem koordinatnem sistemu. Študirali smo tudi pojav dekoherence, ki je fundamentalnega pomena, tako za razumevanje kvantne mehanike, kakor tudi za nadaljne raziskovalno delo na področju kvantnih računalnikov. Raziskali smo pojav dekoherence kot mehanizem, ki povzroči lokalizacijo molekularnih grup v kristalih. Obravnavali smo tudi tuneliranje v omejenih geometrijah. Preučevali smo tuneliranje delcev skozi reže ter tanke in dolge cevke.