Za epitaksialno rast funkcionalnih oksidov na silicijevih substratih potrebujemo površine, katerih struktura je določena na atomskem nivoju. Tako definirane površine je možno najučinkoviteje pripraviti z deoksidacijo, inducirano s kovinskim Sr, s katerim pa je delo izredno občutljivo, kar narekuje uporabo alternativnih puferskih materialov. V naši študiji smo za proces PLD odstranitve izvornega oksida ter stabilizacije silicijeve površine preučevali primernost SrO, ki je kemijsko stabilnejši v primerjavi s kovinskim Sr. Dobljene površine smo analizirali in-situ z RHEED tehniko ter ex-situ z XPS, XRR in mikroskopom na atomsko silo. Po nanosu SrO preko Si/SiO2, ki je potekal v vakuumu, smo uporabili različne pogoje segrevanja substrata, pri čemer je temperature segala do 850°C. Ker je nanašanje potekalo v vakuumu, je v izhodiščni fazi nastala večplastna heterostruktura, sestavljena iz SrO, SrSiO3, modificiranega Si in Si kot substrata. Ugotovili smo, da se tekom nadaljnjega segrevanja zgornja plast v strukturi epitaksialno uredi v obliki otočkov, pri višji temperaturi pa se nanesene plasti hitro desobirajo, kar vodi do deoksidacije in 2x1 rekonstrukcije silicijeve površine. Z rezultati smo prvi pokazali učinkovito pot pri pripravi SrO inducirane puferske plasti na silicijevem substratu z uporabo PLD tehnike. Tako pripravljene plasti so primerne za nadaljnjo epitaksialno rast s funkcionalnimi oksidi.
COBISS.SI-ID: 28025383