V preteklem obdobju smo dve izvajali industrijski projekt s podjetjem EPCOS OHG (Avstrija), ki se je nanašal na PLD rast antiferoelektrične PLZT plasti na SrTiO3 in Si podlagah za uporabo v napravah za shranjevanje energije. Rast na Si smo v sodelovanju z raziskovalno organizacijo SINTEF iz Norveške ter podjetjem Solmates iz Nizozemske izvajali tudi na substratih s premerom 150 mm. Opravljeno delo je predstavljalo izvedljivostno študijo za integracijo PLD tehnologije v proizvodnji obrat tovarne. Ker je podjetje eno izmed najbolj pomembnih proizvajalcev elektronskih komponent v Evropi, smo s tem industrijskim projektom pridobili izredno pomembne izkušnje in znanja.
F.17 Prenos obstoječih tehnologij, znanj, metod in postopkov v prakso
COBISS.SI-ID: 30903591Dejan Klement (2011-2015) Priprava postopka za integracijo epitaksialnih STO tankih plasti s Si z uporabo PLD kot alternativne, industrijsko bolj sprejemljive proizvodne poti v primerjavi z MBE. Postopek sestoji iz učinkovite odstranitve izvornega oksida, rekonstrukcije in pasivacije površine Si s 1/2 ML kovinskega Sr ter rasti epitaksialne plasti STO s kompleksnim večstopenjskim postopkom. Urška Gabor (2014-danes) Priprava enofaznih epitaksialnih tankih plasti PMN-PT na STO substratih z- in brez vmesne elektrodne plasti za potencialno uporabo v piezoelektričnih EH napravah v 3-1 in 3-3 načinih delovanja. Preučevanje vpliva sestave PLD tarč na stehiometrijo, kristalno strukturo in dielektrične, feroelektrične in piezoelektrične lastnosti plasti na makroskopski in atomski ravni. Tjaša Parkelj (2015-danes) Raziskave površin pufrskih plasti med Si in oksidi z uporabo različnih in situ analiznih tehnik, predvsem vrstične tunelske mikroskopije (STM). Preučevanje lokalne atomske strukture in napak na površini materialov, pripravljenih s PLD. Ocena vpliva visoko-energijskih delcev iz PLD plazme na kakovost tako-pripravljenih površin.
D.09 Mentorstvo doktorandom
COBISS.SI-ID: 282123264V letu 2016 smo za COST akcijo TO-BE (Towards Oxide-Based Electronics) organizirali konferenci v Ljubljani, ki je potekala tri dni in se jo je udeležilo več kot 110 raziskovalcev, pretežno iz Evrope (http://tobe2016fall.ijs.si/). COST akcija TO-BE povezuje na področju oksidnih materialov najpomembneje raziskovalne skupine v Evropi, ki delujejo tako na teoretičnem, kakor tudi na eksperimentalnem in aplikativnem nivoju. Organizacija konference v Ljubljani je za nas predstavljala priznanje, da smo na področju sinteze oksidnih plasti s PLD tehniko postali tudi mednarodno prepoznani.
B.01 Organizator znanstvenega srečanja
COBISS.SI-ID: 286588416Vmesne plasti med oksidi in silicijem so izrednega pomena, saj lahko oksidni materiali zagotavljajo različne funkcionalnosti polprevodniški industriji. V številnih primerih pa takšna integracija zahteva visokokvalitetno rast oksidov, ki je omejena z intenzivno reakcijo s substratom. V naši študiji smo preučili uporabo pulznega laserskega nanašanja (PLD) za pripravo puferske plasti z Sr in SrO, ki sta se do sedaj uspešno pripravljena le z uporabo epitaksije z molekularnim curkom. Z uporabo refleksijsko visoko energijsko elektronsko difrakcijo (RHEED) smo uspeli na atomskem nivoju kontrolirati spremembe površinske rekonstrukcije tekom PLD nanosa. Naknadno smo na tako pripravljenih puferskih plasteh pripravili epitaksialno plast STO ter jo analizirali z uporabo različnih analitskih tehnik. ------------------------------------------------------------------------------------ Na podlagi teh rezultatov in nadalje povezanih študij smo izvedli eno plenarno predstavitev ter štiri vabljena predavanja na različnih dobro uveljavljenih mednarodnih konferencah širom sveta.
B.04 Vabljeno predavanje
COBISS.SI-ID: 29062951Odsek za raziskave sodobnim materialov Instituta “Jožef Stefan” in Center odličnosti Nanoznanosti in nanotehnologije sta postavila kompleten laboratorij za pulzno lasersko nanašanje (PLD), ki je namenjen sintezi naprednih visokokvalitetnih tankih plasti. Laboratorij sestavljata KrF ekscimerni laser in PLD komora z ultravisokim vakuumom, in situ diagnostiko, laserskim gretjem in napraševanjem. PLD sistem se uporablja za načrtovanje in pripravo vmesnih plasti ter kontrolirano rast različnih oksidov na silicijevih rezinah. V letu 2016 je bil laboratorij nadgrajen s sistemom za prenos vzorcev v ultravioskem vakuumu v sistem za vrstično tunelsko mikroskopijo in rentgensko fotoemisijsko spektrometrijo. Laboratorij je opremljen tudi z visokoresolucijskim rentgenskim difraktometrom, namenjenim za analizo tankih plasti.
D.02 Ustanovitev raziskovalnega centra, laboratorija, študija, društva