Pokazali smo, da stopnja delokalizacije nosilcev naboja pomembno vpliva na energijo polarizacije in posledično na lego transportnega roba v organskih polprevodnikih. Posledica tega so fluktuacije v energiji transportnega roba, ki imajo dolgo valovno dolžino. Ta koncept predstavlja jedro analitičnega modela, ki pojasni pozitivno temperaturno odvisnost in negativno odvisnost gibljivosti od električnega polja, ki smo ju zaznali z merjenjem časa preleta nosilcev naboja v vzorcih s koplanarnima elektrodama.
COBISS.SI-ID: 4915195
Tu predstavljamo novo in učinkovito metodo za izboljšanje gibljivosti nosilcev naboja v nanožicah iz poli(3-heksiltiofena) s katerimi smo izdelali organske tranzistorje na učinek polja. Obdelava sestoji iz nanosa majhne količine topila neposredno na že nanešen polprevodniški sloj. Topilo pustimo, da počasi izhlapi. Taka obdelava povzroči da se gibljivost poveča iz 1.3 x103 na 3.4x10 2 cm2/Vs, medtem ko tranzistorji ohranijo razmerje tokov med vklopom in izklopom ~104.
COBISS.SI-ID: 4099579