Izmerili smo lomne količnike tankih plasti AlN, ki so bile vzgojene na safirju in sicer v dveh načinih rasti, ki sta se razlikovali po smeri polarne osi. Tem strukturam AlN pravimo Al- ali N- polarne. Lomne količnike smo merili z dvema elipsometričnima metodama. Prva je bila merjenje s fiksno valovno dolžino pri različnih kotih, druga pa spektroskopsko merjenje pri fiksnem kotu. Iz meritev smo določili disperzijo rednega in izrednega lomnega količnika v obeh materialih. Za N- polarne vzorce smo zaradi hrapavosti površine uporabili posebej prirejen optični model. Rezultati kažejo, da ni znatne razlike v optičnih lastnostih med obema polarnostima, kljub temu, da snjuna morfologija znatno razlikuje. Ta rezultat potrjuje našo napoved, da so modulirane strukture iz obeh materialov obetavne za uporabo v nelinearni optiki.
COBISS.SI-ID: 2798436
AlN je zanimiv material tudi za uporabo v frekvenčnem področju THz valov, zato smo s THz spektroskopijo izmerili njegove dielektrične lastnosti v področju od 1 do 8 THz. Razlika med rednim in izrednim lomnim količnikom je v THz področju približno 0.2 in je večja kot v vidnem spektru. V področju 1 - 8 THz nismo videli nobene izrazite resonance in skupne izgube so bile relativno nizke, 2 cm-1 in 4 cm-1 za redni in izredni žarek. Ker v AlN kristalu ni optičnih nihanj pod 10 THz, smo s to meritvijo določili tudi dielektrične lastnosti pri vseh nižjih frekvencah, pri čemer posebej poudarjamo prvo eksperimentalno določitev statične dielektrične konstante v smeri polarne osi. Ta znaša 9.22.
COBISS.SI-ID: 28838439