Keramična tarča, narejena s sintranjem in z razmerjem kovin Ga : In : Sn = 4 : 64 : 32, je bila uporabljena pri RF naprševanju z Ga dopirane ITO (GITO) transparentne in električno prevodne oksidne plasti. Pri naprševanju smo spreminjali različne depozicijske parametre (moč, pretok kisika in temperaturo substrata), pri čemer smo optimirali plast glede na njeno električno upornost. Plasti, deponirane pod optimalnimi pogoji, so bile nato temperaturno obdelane pri različnih temperaturah (200−500 ⁰C), bodisi v zraku ali v dušikovi atmosferi. Dobljena 200 nm debela GITO plast izkazuje visoko mobilnosti elektronov (50 cm2/Vs) pri razmeroma nizki električni upornosti (0,90 mΩcm), pri čemer je koncentracija prostih elektronov nizka (1,4e20 cm−3). S tem znižamo parazitno absorpcijo svetlobe zaradi prostih nosilcev. Taka plast izkazuje visoko prosojnost (~ 80% med 400−1500 nm).
COBISS.SI-ID: 29163815
V prispevku najprej naredimo pregled sodobnih metod in simulatorjev za analizo optičnih lastnosti tankoplastnih sončnih celic. Napovemo nov pristop k modeliranju z uporabo sklopljenih modelov. Prikažemo rezultate rigoroznih optičnih simulacij Si celic z nanoteksturami z uporabo realnega modela rasti tankih plasti ter organskih celic z makroteksturami z uporabo modela CROWM.
COBISS.SI-ID: 10835540
UV nanovtisna litografija (UV NIL) je nov pristop k vključevanju dodatnih teksturiranih plasti v strukturo sončnih celic. V primerjavi s preostalimi tehnikami izdelave tekstur je enostavna, nizkocenovna in hitra. Zaradi neprevodnosti UV NIL lakov je za električni kontakt potreben nanos dodatne prevodne plasti, ki je običajno prozorni prevodni oksid (TCO). V našem primeru smo za TCO izbrali z galijem dopirani ITO (GITO). V prispevku bomo predstavili pripravo vzorcev. Uspešnost nanosa bomo preverili z meritvami plastne upornosti, optične prepustnosti in morfologije, s katerimi bomo ugotovili primernost procesa, vernost prenosa tekstur in konformno rast GITO plasti.
COBISS.SI-ID: 11126868