Gube na grafenu se običajo pojavljajo na grafenu, ki je bil sintetiziran s kemijsko parno depozicijo (chemical vapor deposition (CVD)) na podloge SiO2. Gube imajo ključno vlogo pri določanju morfologijo pentacena na grafenu in jih je potrebno obravnavati pri načrtovanju pentacensko-grafenskih komponent. Naše preiskave z mikroskopom na atomsko silo kažejo na tridimenzionalno rast vakuumsko naparjenega pentacena na CVD grafen. Otoki se prednostno pojavijo ob gubah, kar pojasnimo s povečano kemijsko aktivnostjo gub.
COBISS.SI-ID: 2603515