V tem delu je opisan sistem reaktivnega ionskega jedkanja silicija in mehanizem usmerjenega jedkanja s SF6/O2-kemijo. Raziskana je bila odvisnost jedkanja od ključnih procesnih parametrov ter prikazana implementacija jedkanja pri izdelavi silicijevih mikrostruktur. Tipični rezultat jedkanja je: hitrost 1 do 2 µm/min, lateralno spodjedkavanje 5-10 % glede na globino jedkanja, razmerje med višino in širino struktur manjše od 6 in selektivnost na oksidno oziroma masko iz fotorezista 100 oziroma 20.
COBISS.SI-ID: 9312596
Opravljena je bila študija naprševanja tankih Al plasti na Si in and SiO2 iz dveh različnih sestav tarče v odvisnosti od temperature predgrevanja ter končnega napuščanja. Velikost Al zrn se je povečala če je bilo naprševanje izvedeno iz Al-Si trče v primerjavi z Al-Si-Cu sestavo. Z EBSD je bila določena (111) tekstura Al plasti, če je bila podlaga Si, oziroma (101), če je bila podlaga SiO2.
COBISS.SI-ID: 9074772
Raziskali smo bondiranje dveh vrst stekel, Pyrex 7740 (Corning) in Borofloat 33 (Schott) na golo površino silicija in na površino silicija, ki je zaključena z SiO2 termično raščenim oksidom. Postopek anodnega bondiranja je bil izvajan v temperaturnem območju 350–400 °C na zraku, ob priključenih anodnih napetostih 800–1800 V. Priprava površine se je pokazala kot zelo pomemben postopek in je bila izvedena s postopkom kemijskega čiščenja. Z vpeljavo primerne konfiguracije priključnih elektrod so bila uspešno izvedena tudi bondiranja večih plasti stekla in silicija. Raziskan je bil tudi vpliv neravnosti stičnih površin kot posledica deponiranih tankih plasti ali predhodne mikroobdelave silicija in stekla na formiranje spoja.
COBISS.SI-ID: 9435988