Prispevek je na konferenci Transparent Conductive Materials (TCM) 2012 dobil nagrado za najboljši poster. Delo je študija električnih lastnosti tankih plasti Ta2O5 in Ta2O5 – Al2O3 – SiO2 (molsko razmerje Ta:Al:Si = 8:1:1), pripravljenih s sintezo iz raztopine in segretih pri 250 oC, 300 oC, 350 oC in 400 oC. Plasti na osnovi mešanice oksidov so izkazale nižji tok puščanja kot plasti Ta2O5, kar pomeni, da bi bile primerne kot dielektriki v tankoplastnih tranzistorjih.
E.02 Mednarodne nagrade
COBISS.SI-ID: 26235431Tanke plasti dielektrikov Ta2O5 in Ta2O5 – Al2O3 – SiO2 (molsko razmerje Ta:Al:Si = 8:1:1), pripravljene s segrevanjem pri 300 in 350 oC, lahko uporabili kot dielektrični plasti v tankoplastnih tranzisotrjih (TFT). Plasti v konfiguraciji kovina-dielektrik-polprevodnik smo karakterizirali z meritvami kapacitivnosti v odvisnosti od napetosti pri različnih frekvencah. TFT s plastjo dielektrika, pripravljenega iz raztopine, in kanalom polprevodnika galijevega indijevega cinkovega oksida (GIZO), pripravljenega z naprševanjem, je izkazoval dobre funkcijske lastnosti: razmerje vklop /izklop večje od 10^8, pragovno napetost delovanja med -1 in 0 V, in mobilnost (angl.: field-effect mobility) večjo od 10 cm^2/Vs. Tako plasti Ta2O5 kot 8:1:1 so imele primerne lastnosti za uporabo v TFT-jih.
B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci
COBISS.SI-ID: 28050215V prispevku smo predstavili brizgalno tiskanje 2D-struktur dielektrikov na osnovi Ta2O5 za kondenzatorje in izolatorje v tankoplastnih tranzistorjih. Viskoznost in površinsko napetost organske raztopine kovinskega alkoksida, ki je bila sintetizirana za pripravo tankih plasti, smo prilagodili vrednostim, primernim za brizgalno tiskanje. Tekočine za tiskanje so bile stabilne. Nastavitve tiskanja, kot temperatura rezervoarja tekočine, oblika signala, razadalja med kapljami in temperatura podlage, smo prilagodili, da smo lahko natisnili 2D strukture na izbranih podlagah.
B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci
COBISS.SI-ID: 27755303Tema plenarnega predavanja na konferenci Transparent Conductive Materials (TCM) 2012 je bilo direktno oblikovanje plastnih struktur funkcijskih materialov z brizgalnim tiskanjem, ki je aktualno področje raziskav. Strukturo lahko načrtujemo v računalniku, pri tiskanju porabimo malo materiala, saj ga nanašamo le tam, kjer ga potrebujemo. Tehnologijo je mogoče prilagoditi za tiskanje na velikih površinah. Brizgalno tiskanje lahko uporabimo za izdelavo tankoplastnih tranzistorjev, diod, sončnih celic in tako naprej. V tekočini za tiskanje je funkcijski material v obliki suspenzije (disperzije) ali raztopine. Med lastnostmi tekočin, ki kritično vplivajo na proces tiskanja, sta predvsem viskoznost in površinska napetost.
B.04 Vabljeno predavanje
COBISS.SI-ID: 26234919