V tem članku obravnavamo sintezo visokostrukturiranega Na0.75CoO2 in spreminjanje njegovih lastnosti pri različnih sobnih pogojih. Izkazalo se je, da je nestabilen in zelo občutljiv na sobne razmere, zaradi česar je vprašljiva njegova praktična uporabnost. Sistematično smo raziskali vpliv vlažnosti na keramične tablete in identificirali pogoje pri katerih material popolnoma razpade. S pomočjo mikrostrukturne in termične analize skupaj z analizo izhajajočih plinov smo identificirali kemijske reakcije, ki so vključene v proces razpada. Ugotovili smo, da so fizikalne spremembe posledica redukcije kobalta in posledično nastanka vključkov CoO, ki poveča količino natrija v kristalni strukturi natrijevega kobaltata.
COBISS.SI-ID: 27467815
Z in-situTEM in rentgensko praškovno analizo trdnih raztopin perovskita (Na (1−x)K(x))0.5Bi0.5TiO3 v okolici morfotropske fazne meje smo določili prispevek strukture k izboljšanju elektromehanskih lastnosti tovrstnih piezoelektrikov. Potrdili smo, da se po segrevanju ne tvori lamelarna struktura, temveč nastane nanostruktura podobna "ribji kosti" s sistemom in faznega premika v velikem obsegu. Rentgenska difrakcijska analiza MPB vzorcev je potrdila, da je osnovna struktura MPB pseudokubična. Opravljene analize potrjujejo, da je vzrok za izboljšanje elektromehanskih lastnosti v takšnih piezomaterialih njihovo lahko prilagodljivo obnašanje, podobno relaksorjem, in konformizmom, ki ga povzroča inducirano električno polje.
COBISS.SI-ID: 26718503
Raziskovali smo eksperimentalne pogoje sinteze BaTiO3 s kontrolirano obliko iz vodnih raztopin NaOH in Ba(NO3)2 ter raztopin voda/etanol pri 80°C–100°C, pri čemer smo uporabili različne titanatne prekurzorje. Različne kemijske in fizikalne značilnosti prekurzorjev so vodile do različnih tvorbenih hitrosti in morfologij nastajujočega BaTiO3. Rezultati analize z elektronsko mikroskopijo so potrdili mehanizem raztapljanja precipitacije kot primarnega v tvorbi BaTiO3 nanokristalov, ki se nato združujejo in tvorijo monokristale oblike zvezdic ali kock.
COBISS.SI-ID: 27166503
Nedavni izračuni na osnovi teorije gostotnega funkcionala kažejo, da je sočasno dopiranje TiO2 s parom donor –sprejemnik bolj učinkovito za izboljšanje fotoelektrokemijskega razcepljanja vode kot dopiranje samo z istim tipom dopanta. Razlog za to je zmanjšanje rekombinacije, izboljšanje kakovosti materiala, povečanje absorpcije svetlobe in povečanje topnostnih mej dopantov. V tem članku poročamo o novi “ ex – situ” metodi za sočasno dopiranje TiO2 z volframom in ogljikom (W ,C), ki je bil dosežen z zaporednim žganjem TiO2 prekurzorja, prevlečenega z W v plamenu in ogljikovem monoksidu (CO). Edinstvena prednost plamenskega žganja je v tem, da visoke temperature () 1000 °C) in velika hitrost segrevanja omogočajo hitro difuzijo W v TiO2, pri čemer se ne poškodujeta morfologija žičk in kristaliničnost. To je prvi eksperimentalni dokaz, da sočasno dopirane nanožičke TiO2:(W, C) prekašajo tiste, ki so bile dopirane samo z W (TiO2:W) ali samo z C (TiO2:C) za fotoelektrokemijsko cepitev vode. Takšno izboljšanje lastnosti izvira iz močno izboljšane električne prevodnosti in aktivnosti za evolucijo kisika zaradi sinergijskih učinkov sočasnega dopiranja.
COBISS.SI-ID: 26688551
V delu se je pulzno lasersko nanašanje uporabilo za pripravo tanke plasti SrTiO3 (STO) na H-terminiranem Si substratu. Glavni namen dela je bil preveriti sposobnost H-terminacije proti oksidaciji silicija tekom PLD procesa in analizirati dobljene vmesne plasti. V prvem delu študije smo STO nanesli neposredno na silicij, kar je vodilo do nastanka preferenčno teksturirane plasti STO z orientacijo (100). V drugem delu raziskave smo uporabili kot vmesno plast SrO, ki je omogočil delno epitaksialno rast plasti STO s STO(110)//Si(100) in STO[001]//Si[001]. Sprememba smeri rasti, ki jo je povzročila uporaba SrO je posledica nastanka SrO(111) vmesne plasti in posledično zmanjšanja razlike osnovnih celic med STO in SrO. Pri uporabljenih pogojih je zaradi reakcije med nanesenim materialom in silicijem nastala približno 10 nm debela plast. V primeru direktne rasti STO se je na stiku s silicijem tvoril SiOx, med tem ko pa je pri uporabi SrO vmesne plasti neposredno na siliciju rastel stroncijev silikat, ki je izboljšal kvaliteto rasti zgornjega STO.
COBISS.SI-ID: 26882855